【高電子移動性電晶體】
<P align=center><STRONG><FONT size=5>【<FONT color=red>高電子移動性電晶體</FONT>】</FONT></STRONG></P> <P><STRONG>英語翻譯：highelectronmobilitytransistor</STRONG></P><P><STRONG></STRONG> </P>
<P><STRONG>【辭書名稱】資訊與通信術語辭典</STRONG></P>
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<P><STRONG>1980年由日本富士通（Fujitsu）發明的一種使用砷化鎵（GaAs）和砷化鋁鎵（AlGaAs）相間製造之電晶體。</STRONG></P>
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<P><STRONG>該電晶體應用在衛星電視廣播已證實在微波頻率下有低雜訊的工作績效。</STRONG></P>
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<P><STRONG>現富士通應用在邏輯和記憶的晶片上，其效能和大型主機所使用的二極型矽電路比較一矽閘之耗電率為2毫瓦，而本技術的閘只需0.24毫瓦，工作時間為85微微秒。</STRONG></P>
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<P><STRONG>總體績效而言，比傳統的使用的矽技術好5到10倍，唯其製程十分困難，使應用受阻。</STRONG></P>
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<P><STRONG>若能克服生產問題，將大幅提升電腦的工作效率。</STRONG></P>
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<P><STRONG></STRONG> </P>轉自:http://edic.nict.gov.tw/cgi-bin/tudic/gsweb.cgi?o=ddictionary
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